ST9435GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ST9435GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ST9435GP

ST9435GP Datasheet (PDF)

..1. Size:359K stansontech
st9435gp.pdf

ST9435GP P Channel Enhancement Mode MOSFET -15.0A DESCRIPTION ST9435GP is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device is particularly suited for low voltage application, notebook computer power

8.1. Size:396K stansontech
st9435a.pdf

ST9435A P Channel Enhancement Mode MOSFET - 5.6A DESCRIPTION ST9435A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as battery pack, note

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Liste

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