ST9435GP - описание и поиск аналогов

 

ST9435GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST9435GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для ST9435GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST9435GP даташит

 ..1. Size:359K  stansontech
 st9435gp.pdf pdf_icon

ST9435GP

ST9435GP P Channel Enhancement Mode MOSFET -15.0A DESCRIPTION ST9435GP is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device is particularly suited for low voltage application, notebook computer power

 8.1. Size:396K  stansontech
 st9435a.pdf pdf_icon

ST9435GP

ST9435A P Channel Enhancement Mode MOSFET - 5.6A DESCRIPTION ST9435A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as battery pack, note

Другие MOSFET... ST3414A , ST3421SRG , ST3422A , ST36N06 , ST36N10D , ST47P06D , ST75N75 , ST9435A , IRF1010E , SUB65P04-15 , SUB75P03-07 , SUB85N10-10 , SUD06N10-225L , SUD08P06-155L , SUD09P10-195 , SUD15N15-95 , SUD17N25-165 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.