Справочник MOSFET. ST9435GP

 

ST9435GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ST9435GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для ST9435GP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST9435GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  stansontech
 st9435gp.pdf pdf_icon

ST9435GP

ST9435GP P Channel Enhancement Mode MOSFET -15.0A DESCRIPTION ST9435GP is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These device is particularly suited for low voltage application, notebook computer power

 8.1. Size:396K  stansontech
 st9435a.pdf pdf_icon

ST9435GP

ST9435A P Channel Enhancement Mode MOSFET - 5.6A DESCRIPTION ST9435A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as battery pack, note

Другие MOSFET... ST3414A , ST3421SRG , ST3422A , ST36N06 , ST36N10D , ST47P06D , ST75N75 , ST9435A , IRF530 , SUB65P04-15 , SUB75P03-07 , SUB85N10-10 , SUD06N10-225L , SUD08P06-155L , SUD09P10-195 , SUD15N15-95 , SUD17N25-165 .

History: IXFT150N17T2 | YTF250 | NTB30N06L | SM6366ED1RL | 2026 | SM8A02NSW | NTMFS4841NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.