SUD17N25-165 Todos los transistores

 

SUD17N25-165 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUD17N25-165

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SUD17N25-165 datasheet

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SUD17N25-165

SUD17N25-165 www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C junction temperature 250 0.165 at VGS = 10 V 17 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-252 TO Drain connected to tab D G S D N-Channel MO

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SUD17N25-165

New Product SUD17N25-165 Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.165 at VGS = 10 V 250 17 RoHS COMPLIANT D TO-252 G Drain Connected to Tab G D S Top View S Ordering Information SUD17N25-165-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAX

Otros transistores... ST9435GP , SUB65P04-15 , SUB75P03-07 , SUB85N10-10 , SUD06N10-225L , SUD08P06-155L , SUD09P10-195 , SUD15N15-95 , IRFP450 , SUD19N20-90 , SUD19P06-60 , SUD19P06-60L , SUD20N10-66L , SUD20P15-306 , SUD23N06-31 , SUD23N06-31L , SUD25N04-25 .

History: SFG10R10BF

 

 

 

 

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