SUD17N25-165 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUD17N25-165
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 30 nC
   Tiempo de subida (tr): 130 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUD17N25-165

SUD17N25-165 Datasheet (PDF)

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SUD17N25-165www.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C junction temperature250 0.165 at VGS = 10 V 17 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-252TODrain connected to tabDGSDN-Channel MO

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New ProductSUD17N25-165Vishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.165 at VGS = 10 V 250 17RoHSCOMPLIANT DTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewSOrdering Information: SUD17N25-165-E3 (Lead (Pb)-free)N-Channel MOSFETABSOLUTE MAX

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Liste

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