SUD17N25-165 Todos los transistores

 

SUD17N25-165 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUD17N25-165
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SUD17N25-165 Datasheet (PDF)

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SUD17N25-165

SUD17N25-165www.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C junction temperature250 0.165 at VGS = 10 V 17 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-252TODrain connected to tabDGSDN-Channel MO

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SUD17N25-165

New ProductSUD17N25-165Vishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.165 at VGS = 10 V 250 17RoHSCOMPLIANT DTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewSOrdering Information: SUD17N25-165-E3 (Lead (Pb)-free)N-Channel MOSFETABSOLUTE MAX

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History: SSF3617 | BSS806NE | MDIS3N40TH | S10H16RN | STM4886 | S10H12RP | CMD5941

 

 
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