Справочник MOSFET. SUD17N25-165

 

SUD17N25-165 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUD17N25-165
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SUD17N25-165

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD17N25-165 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  vishay
 sud17n25-165.pdf pdf_icon

SUD17N25-165

SUD17N25-165www.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C junction temperature250 0.165 at VGS = 10 V 17 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-252TODrain connected to tabDGSDN-Channel MO

 6.1. Size:69K  vishay
 sud17n25.pdf pdf_icon

SUD17N25-165

New ProductSUD17N25-165Vishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.165 at VGS = 10 V 250 17RoHSCOMPLIANT DTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewSOrdering Information: SUD17N25-165-E3 (Lead (Pb)-free)N-Channel MOSFETABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... ST9435GP , SUB65P04-15 , SUB75P03-07 , SUB85N10-10 , SUD06N10-225L , SUD08P06-155L , SUD09P10-195 , SUD15N15-95 , IRF1407 , SUD19N20-90 , SUD19P06-60 , SUD19P06-60L , SUD20N10-66L , SUD20P15-306 , SUD23N06-31 , SUD23N06-31L , SUD25N04-25 .

History: AO4938 | STF25NM50N | AM8814 | CTLDM7003-M621

 

 
Back to Top

 


 
.