SUD42N03-3M9P Todos los transistores

 

SUD42N03-3M9P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUD42N03-3M9P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SUD42N03-3M9P datasheet

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SUD42N03-3M9P

SUD42N03-3m9P Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0039 at VGS = 10 V 107d TrenchFET Power MOSFET 30 67 0.0045 at VGS = 4.5 V 103d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converters - Sy

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SUD42N03-3M9P

SUD42N03-3m9P Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0039 at VGS = 10 V 107d TrenchFET Power MOSFET 30 67 0.0045 at VGS = 4.5 V 103d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converters - Sy

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History: SW4N70K

 

 

 

 

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