Справочник MOSFET. SUD42N03-3M9P

 

SUD42N03-3M9P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUD42N03-3M9P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SUD42N03-3M9P

 

 

SUD42N03-3M9P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  vishay
 sud42n03-3m9p.pdf

SUD42N03-3M9P SUD42N03-3M9P

SUD42N03-3m9PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0039 at VGS = 10 V 107d TrenchFET Power MOSFET30 670.0045 at VGS = 4.5 V 103d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Converters- Sy

 6.1. Size:128K  vishay
 sud42n03.pdf

SUD42N03-3M9P SUD42N03-3M9P

SUD42N03-3m9PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0039 at VGS = 10 V 107d TrenchFET Power MOSFET30 670.0045 at VGS = 4.5 V 103d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Converters- Sy

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MTN3484V8 | IRC624 | NTGS3136P | IPW60R070P6

 

 
Back to Top