Справочник MOSFET. SUD42N03-3M9P

 

SUD42N03-3M9P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUD42N03-3M9P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SUD42N03-3M9P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD42N03-3M9P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  vishay
 sud42n03-3m9p.pdf pdf_icon

SUD42N03-3M9P

SUD42N03-3m9PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0039 at VGS = 10 V 107d TrenchFET Power MOSFET30 670.0045 at VGS = 4.5 V 103d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Converters- Sy

 6.1. Size:128K  vishay
 sud42n03.pdf pdf_icon

SUD42N03-3M9P

SUD42N03-3m9PVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0039 at VGS = 10 V 107d TrenchFET Power MOSFET30 670.0045 at VGS = 4.5 V 103d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Converters- Sy

Другие MOSFET... SUD25N15-52 , SUD35N05-26L , SUD35N10-26P , SUD40N02-08 , SUD40N02-3M3P , SUD40N04-10A , SUD40N08-16 , SUD40N10-25 , IRF2807 , SUD45P03-09 , SUD45P03-10 , SUD45P03-15 , SUD45P04-16P , SUD50N02-04P , SUD50N02-06 , SUD50N02-06P , SUD50N02-09P .

History: 50N06B | AP65SL600DH | 2SK1859 | RQ3E100MN | SM420R65CT1TL | AP60SL650AFH | MTN7002N3

 

 
Back to Top

 


 
.