SUD42N03-3M9P - описание и поиск аналогов

 

SUD42N03-3M9P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUD42N03-3M9P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SUD42N03-3M9P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD42N03-3M9P даташит

 ..1. Size:128K  vishay
 sud42n03-3m9p.pdf pdf_icon

SUD42N03-3M9P

SUD42N03-3m9P Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0039 at VGS = 10 V 107d TrenchFET Power MOSFET 30 67 0.0045 at VGS = 4.5 V 103d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converters - Sy

 6.1. Size:128K  vishay
 sud42n03.pdf pdf_icon

SUD42N03-3M9P

SUD42N03-3m9P Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0039 at VGS = 10 V 107d TrenchFET Power MOSFET 30 67 0.0045 at VGS = 4.5 V 103d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converters - Sy

Другие MOSFET... SUD25N15-52 , SUD35N05-26L , SUD35N10-26P , SUD40N02-08 , SUD40N02-3M3P , SUD40N04-10A , SUD40N08-16 , SUD40N10-25 , STF13NM60N , SUD45P03-09 , SUD45P03-10 , SUD45P03-15 , SUD45P04-16P , SUD50N02-04P , SUD50N02-06 , SUD50N02-06P , SUD50N02-09P .

History: 4N65KG-TA3-T | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210 | MEE7630-G | AOV11S60 | JCS10N65CT | IPI111N15N3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.