SUM09N20-270 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUM09N20-270
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
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SUM09N20-270 Datasheet (PDF)
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SUM09N20-270Vishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.270 at VGS = 10 V 9 Low Thermal Resistance Package2000.300 at VGS = 6 V 8.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-263GG D STop ViewSOrdering Information: SUM09N20-2
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