Справочник MOSFET. SUM09N20-270

 

SUM09N20-270 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUM09N20-270
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SUM09N20-270

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM09N20-270 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  vishay
 sum09n20-270.pdf pdf_icon

SUM09N20-270

SUM09N20-270Vishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.270 at VGS = 10 V 9 Low Thermal Resistance Package2000.300 at VGS = 6 V 8.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-263GG D STop ViewSOrdering Information: SUM09N20-2

Другие MOSFET... SUD50P04-23 , SUD50P04-40P , SUD50P06-15 , SUD50P06-15L , SUD50P08-25L , SUD50P08-26 , SUD50P10-43 , SUD50P10-43L , IRFP460 , SUM110N03-03P , SUM110N03-04P , SUM110N04-03 , SUM110N04-03P , SUM110N04-04 , SUM110N04-05H , SUM110N04-2M1P , SUM110N04-2M3L .

 

 
Back to Top

 


 
.