SUM09N20-270 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SUM09N20-270
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SUM09N20-270
SUM09N20-270 Datasheet (PDF)
sum09n20-270.pdf

SUM09N20-270Vishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.270 at VGS = 10 V 9 Low Thermal Resistance Package2000.300 at VGS = 6 V 8.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-263GG D STop ViewSOrdering Information: SUM09N20-2
Другие MOSFET... SUD50P04-23 , SUD50P04-40P , SUD50P06-15 , SUD50P06-15L , SUD50P08-25L , SUD50P08-26 , SUD50P10-43 , SUD50P10-43L , IRFP460 , SUM110N03-03P , SUM110N03-04P , SUM110N04-03 , SUM110N04-03P , SUM110N04-04 , SUM110N04-05H , SUM110N04-2M1P , SUM110N04-2M3L .
History: AP9585GJ | TPCM8006 | IPD65R400CE | IPA126N10N3G | CST08N50D | AP3990P
History: AP9585GJ | TPCM8006 | IPD65R400CE | IPA126N10N3G | CST08N50D | AP3990P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet