SUM1960NE Todos los transistores

 

SUM1960NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUM1960NE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

 Búsqueda de reemplazo de SUM1960NE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SUM1960NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  secos
 sum1960ne.pdf pdf_icon

SUM1960NE

SUM1960NE 0.32A , 60V , RDS(ON) 2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SOT-363 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high AEcell density trench process to provide low RDS(on) and to Lensure minimal power loss and heat dissipation

Otros transistores... MIC94051BM4TR , MIC94051YM4TR , MIC94052BC6TR , MIC94052YC6TR , MIC94053BC6TR , MIC94053YC6TR , MM109N06K , MM137N04K , 4435 , SUM2153 , SUM23N15-73 , SUM25P10-138 , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , SUM36N20-54P , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 .

History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A | PMN20ENA

 

 
Back to Top

 


 
.