SUM1960NE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUM1960NE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: SOT-363
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SUM1960NE datasheet
sum1960ne.pdf
SUM1960NE 0.32A , 60V , RDS(ON) 2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SOT-363 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high A E cell density trench process to provide low RDS(on) and to L ensure minimal power loss and heat dissipation
Otros transistores... MIC94051BM4TR , MIC94051YM4TR , MIC94052BC6TR , MIC94052YC6TR , MIC94053BC6TR , MIC94053YC6TR , MM109N06K , MM137N04K , 5N65 , SUM2153 , SUM23N15-73 , SUM25P10-138 , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , SUM36N20-54P , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 .
History: AP10P230H
History: AP10P230H
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