SUM1960NE - описание и поиск аналогов

 

SUM1960NE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUM1960NE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SUM1960NE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM1960NE даташит

 ..1. Size:75K  secos
 sum1960ne.pdf pdf_icon

SUM1960NE

SUM1960NE 0.32A , 60V , RDS(ON) 2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SOT-363 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high A E cell density trench process to provide low RDS(on) and to L ensure minimal power loss and heat dissipation

Другие MOSFET... MIC94051BM4TR , MIC94051YM4TR , MIC94052BC6TR , MIC94052YC6TR , MIC94053BC6TR , MIC94053YC6TR , MM109N06K , MM137N04K , 5N65 , SUM2153 , SUM23N15-73 , SUM25P10-138 , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , SUM36N20-54P , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 .

History: AON6514 | BUK969R0-60E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.