Справочник MOSFET. SUM1960NE

 

SUM1960NE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUM1960NE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SUM1960NE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM1960NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  secos
 sum1960ne.pdf pdf_icon

SUM1960NE

SUM1960NE 0.32A , 60V , RDS(ON) 2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SOT-363 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high AEcell density trench process to provide low RDS(on) and to Lensure minimal power loss and heat dissipation

Другие MOSFET... MIC94051BM4TR , MIC94051YM4TR , MIC94052BC6TR , MIC94052YC6TR , MIC94053BC6TR , MIC94053YC6TR , MM109N06K , MM137N04K , 4435 , SUM2153 , SUM23N15-73 , SUM25P10-138 , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , SUM36N20-54P , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.