SUM1960NE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SUM1960NE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для SUM1960NE
SUM1960NE Datasheet (PDF)
sum1960ne.pdf
SUM1960NE 0.32A , 60V , RDS(ON) 2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SOT-363 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high AEcell density trench process to provide low RDS(on) and to Lensure minimal power loss and heat dissipation
Другие MOSFET... MIC94051BM4TR , MIC94051YM4TR , MIC94052BC6TR , MIC94052YC6TR , MIC94053BC6TR , MIC94053YC6TR , MM109N06K , MM137N04K , 5N65 , SUM2153 , SUM23N15-73 , SUM25P10-138 , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , SUM36N20-54P , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 .
History: SWD6N80DE | FCU600N65S3R0 | SWD740D | BSP372N | VS4020AP
History: SWD6N80DE | FCU600N65S3R0 | SWD740D | BSP372N | VS4020AP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent


