SUM25P10-138 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUM25P10-138
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.138 Ohm
Encapsulados: TO-263
Búsqueda de reemplazo de SUM25P10-138 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SUM25P10-138 datasheet
sum25p10-138.pdf
SUM25P10-138 Vishay Siliconix P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.138 at VGS = - 10 V - 16.3 Material categorization 0.141 at VGS = - 7.5 V - 16.1 24 nC For definitions of compliance please see - 100 www.vishay.com/doc?99912 0.142 at VGS = - 6 V - 16.
Otros transistores... MIC94052YC6TR , MIC94053BC6TR , MIC94053YC6TR , MM109N06K , MM137N04K , SUM1960NE , SUM2153 , SUM23N15-73 , AON6380 , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , SUM36N20-54P , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 , SUM40N15-38 , SUM45N25-58 , SUM47N10-24L .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor