Справочник MOSFET. SUM25P10-138

 

SUM25P10-138 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUM25P10-138
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.138 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SUM25P10-138

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM25P10-138 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  vishay
 sum25p10-138.pdf pdf_icon

SUM25P10-138

SUM25P10-138Vishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.138 at VGS = - 10 V - 16.3 Material categorization:0.141 at VGS = - 7.5 V - 16.1 24 nCFor definitions of compliance please see- 100www.vishay.com/doc?999120.142 at VGS = - 6 V - 16.

Другие MOSFET... MIC94052YC6TR , MIC94053BC6TR , MIC94053YC6TR , MM109N06K , MM137N04K , SUM1960NE , SUM2153 , SUM23N15-73 , IRLZ44N , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , SUM36N20-54P , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 , SUM40N15-38 , SUM45N25-58 , SUM47N10-24L .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | 7409B | HGN080N10SL | SSM3K116TU | PD696BA

 

 
Back to Top

 


 
.