Справочник MOSFET. SUM25P10-138

 

SUM25P10-138 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUM25P10-138
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.138 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM25P10-138 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  vishay
 sum25p10-138.pdf pdf_icon

SUM25P10-138

SUM25P10-138Vishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.138 at VGS = - 10 V - 16.3 Material categorization:0.141 at VGS = - 7.5 V - 16.1 24 nCFor definitions of compliance please see- 100www.vishay.com/doc?999120.142 at VGS = - 6 V - 16.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP250A | STK0260D

 

 
Back to Top

 


 
.