SUM25P10-138 - описание и поиск аналогов

 

SUM25P10-138. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUM25P10-138

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.138 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SUM25P10-138

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM25P10-138 даташит

 ..1. Size:158K  vishay
 sum25p10-138.pdf pdf_icon

SUM25P10-138

SUM25P10-138 Vishay Siliconix P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.138 at VGS = - 10 V - 16.3 Material categorization 0.141 at VGS = - 7.5 V - 16.1 24 nC For definitions of compliance please see - 100 www.vishay.com/doc?99912 0.142 at VGS = - 6 V - 16.

Другие MOSFET... MIC94052YC6TR , MIC94053BC6TR , MIC94053YC6TR , MM109N06K , MM137N04K , SUM1960NE , SUM2153 , SUM23N15-73 , AON6380 , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , SUM36N20-54P , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 , SUM40N15-38 , SUM45N25-58 , SUM47N10-24L .

History: BUK9E3R7-60E | BUK969R0-60E | IPA052N08NM5S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.