SUM27N20-78 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUM27N20-78
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
Encapsulados: TO-263
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SUM27N20-78 datasheet
sum27n20-78.pdf
SUM27N20-78 Vishay Siliconix N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.078 at VGS = 10 V 27 Low Thermal Resistance Package 200 0.083 at VGS = 6 V 26 PWM Optimized for Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-263 Is
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History: MSAER30N20A
History: MSAER30N20A
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