SUM27N20-78 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUM27N20-78
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 215 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.078 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SUM27N20-78
SUM27N20-78 Datasheet (PDF)
..1. Size:164K vishay
sum27n20-78.pdf
sum27n20-78.pdf
SUM27N20-78Vishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.078 at VGS = 10 V 27 Low Thermal Resistance Package2000.083 at VGS = 6 V 26 PWM Optimized for Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-263 Is
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
