Справочник MOSFET. SUM27N20-78

 

SUM27N20-78 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUM27N20-78
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM27N20-78 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  vishay
 sum27n20-78.pdf pdf_icon

SUM27N20-78

SUM27N20-78Vishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.078 at VGS = 10 V 27 Low Thermal Resistance Package2000.083 at VGS = 6 V 26 PWM Optimized for Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-263 Is

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQT7N10LTF | FK14SM-9 | FKD3006 | FHD5N65B | WMLL020N10HG4 | MTB23P06VT4 | IRF7807VTRPBF-1

 

 
Back to Top

 


 
.