SUM33N20-60P Todos los transistores

 

SUM33N20-60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUM33N20-60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SUM33N20-60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  vishay
 sum33n20-60p sum33n20.pdf pdf_icon

SUM33N20-60P

SUM33N20-60PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 150 C Junction Temperature0.059 at VGS = 15 V33 RoHS200 53 100 % UIS and Rg Tested COMPLIANT0.060 at VGS = 10 V33APPLICATIONS Power Supply Lighting IndustrialDTO-263

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History: SVGQ109R5NAD | DMP2004DWK | IRF5NJ540 | PHP160NQ08T | AP6921GMT-HF | MMDF1N05ER2G | 6N70KG-TF2-T

 

 
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