SUM33N20-60P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUM33N20-60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: TO-263
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SUM33N20-60P datasheet
sum33n20-60p sum33n20.pdf
SUM33N20-60P New Product Vishay Siliconix N-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ) 150 C Junction Temperature 0.059 at VGS = 15 V 33 RoHS 200 53 100 % UIS and Rg Tested COMPLIANT 0.060 at VGS = 10 V 33 APPLICATIONS Power Supply Lighting Industrial D TO-263
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History: BUK9E1R9-40E | BUK7Y25-60E
History: BUK9E1R9-40E | BUK7Y25-60E
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Liste
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