SUM33N20-60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUM33N20-60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 170 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 271 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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SUM33N20-60P Datasheet (PDF)

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sum33n20-60p sum33n20.pdf

SUM33N20-60PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 150 C Junction Temperature0.059 at VGS = 15 V33 RoHS200 53 100 % UIS and Rg Tested COMPLIANT0.060 at VGS = 10 V33APPLICATIONS Power Supply Lighting IndustrialDTO-263

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Liste

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