Справочник MOSFET. SUM33N20-60P

 

SUM33N20-60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUM33N20-60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 271 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SUM33N20-60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM33N20-60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  vishay
 sum33n20-60p sum33n20.pdf pdf_icon

SUM33N20-60P

SUM33N20-60PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 150 C Junction Temperature0.059 at VGS = 15 V33 RoHS200 53 100 % UIS and Rg Tested COMPLIANT0.060 at VGS = 10 V33APPLICATIONS Power Supply Lighting IndustrialDTO-263

Другие MOSFET... MIC94053YC6TR , MM109N06K , MM137N04K , SUM1960NE , SUM2153 , SUM23N15-73 , SUM25P10-138 , SUM27N20-78 , IRLB4132 , SUM36N20-54P , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 , SUM40N15-38 , SUM45N25-58 , SUM47N10-24L , SUM50N06-16L , SUM50P10-42 .

History: CJ3139KDW | F5043 | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | APM4012NU

 

 
Back to Top

 


 
.