SUM33N20-60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SUM33N20-60P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 170 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 271 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SUM33N20-60P Datasheet (PDF)
sum33n20-60p sum33n20.pdf

SUM33N20-60PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 150 C Junction Temperature0.059 at VGS = 15 V33 RoHS200 53 100 % UIS and Rg Tested COMPLIANT0.060 at VGS = 10 V33APPLICATIONS Power Supply Lighting IndustrialDTO-263
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: OSG60R580DF | APT40N60B2CF | IPD053N06N | FDP12N50NZ | ME7910D | NP36N055SHE | IXFP18N65X2
History: OSG60R580DF | APT40N60B2CF | IPD053N06N | FDP12N50NZ | ME7910D | NP36N055SHE | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306