Справочник MOSFET. SUM33N20-60P

 

SUM33N20-60P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUM33N20-60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 271 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для SUM33N20-60P

 

 

SUM33N20-60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  vishay
 sum33n20-60p sum33n20.pdf

SUM33N20-60P SUM33N20-60P

SUM33N20-60PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 150 C Junction Temperature0.059 at VGS = 15 V33 RoHS200 53 100 % UIS and Rg Tested COMPLIANT0.060 at VGS = 10 V33APPLICATIONS Power Supply Lighting IndustrialDTO-263

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top