SUP18N15-95 Todos los transistores

 

SUP18N15-95 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUP18N15-95

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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SUP18N15-95 datasheet

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SUP18N15-95

SUP18N15-95 Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.095 at VGS = 10 V 18 RoHS* 150 0.100 at VGS = 6 V 17.5 COMPLIANT TO-220AB D DRAIN connected to TAB G G D S Top View S N-Channel MOSFET Ordering Information SUP18N15-95 SUP18N1

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