SUP18N15-95 Todos los transistores

 

SUP18N15-95 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUP18N15-95
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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SUP18N15-95 Datasheet (PDF)

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SUP18N15-95

SUP18N15-95Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.095 at VGS = 10 V18RoHS*1500.100 at VGS = 6 V17.5COMPLIANTTO-220ABDDRAIN connected to TABGG D STop ViewSN-Channel MOSFETOrdering Information: SUP18N15-95 SUP18N1

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History: IRFIP054 | AOB466L | AP2C016LMT | WTC4501 | STF30N65M5 | SMK1065F | AP40T10GI

 

 
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