SUP18N15-95 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUP18N15-95
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SUP18N15-95
SUP18N15-95 Datasheet (PDF)
sup18n15-95.pdf
SUP18N15-95Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.095 at VGS = 10 V18RoHS*1500.100 at VGS = 6 V17.5COMPLIANTTO-220ABDDRAIN connected to TABGG D STop ViewSN-Channel MOSFETOrdering Information: SUP18N15-95 SUP18N1
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IXFR66N50Q2
History: IXFR66N50Q2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918