SUP28N15-52 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUP28N15-52
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 33 nC
   Tiempo de subida (tr): 70 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 216 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

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SUP28N15-52 Datasheet (PDF)

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SUP28N15-52Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.052 at VGS = 10 V 28150 PWM Optimized0.060 at VGS = 6 V 26 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGDRAIN connected to TABG D S

6.1. Size:161K vishay
sup28n15.pdf

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Liste

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