SUP28N15-52 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUP28N15-52
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 216 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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SUP28N15-52 datasheet
sup28n15-52.pdf
SUP28N15-52 Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.052 at VGS = 10 V 28 150 PWM Optimized 0.060 at VGS = 6 V 26 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch TO-220AB D G DRAIN connected to TAB G D S
sup28n15.pdf
SUP28N15-52 Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.052 at VGS = 10 V 28 150 PWM Optimized 0.060 at VGS = 6 V 26 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch TO-220AB D G DRAIN connected to TAB G D S
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History: AOK60N30
History: AOK60N30
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