SUP28N15-52 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SUP28N15-52
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SUP28N15-52
SUP28N15-52 Datasheet (PDF)
sup28n15-52.pdf
SUP28N15-52Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.052 at VGS = 10 V 28150 PWM Optimized0.060 at VGS = 6 V 26 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGDRAIN connected to TABG D S
sup28n15.pdf
SUP28N15-52Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.052 at VGS = 10 V 28150 PWM Optimized0.060 at VGS = 6 V 26 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGDRAIN connected to TABG D S
Другие MOSFET... SUM90N08-4M8P , SUM90N08-6M2P , SUM90N08-7M6P , SUM90N10-8M2P , SUM90P10-19 , SUM90P10-19L , SUP18N15-95 , SUP25P10-138 , IRFZ48N , SUP36N20-54P , SUP40N10-30 , SUP40N25-60 , SUP40P10-43 , SUP45N03-13L , SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P , SUP53P06-20 .
History: IRFHM792TRPBF | IPP12CN10L | VSO008N10MS
History: IRFHM792TRPBF | IPP12CN10L | VSO008N10MS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56



