Справочник MOSFET. SUP28N15-52

 

SUP28N15-52 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUP28N15-52
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 33 nC
   Время нарастания (tr): 70 ns
   Выходная емкость (Cd): 216 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для SUP28N15-52

 

 

SUP28N15-52 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  vishay
 sup28n15-52.pdf

SUP28N15-52 SUP28N15-52

SUP28N15-52Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.052 at VGS = 10 V 28150 PWM Optimized0.060 at VGS = 6 V 26 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGDRAIN connected to TABG D S

 6.1. Size:161K  vishay
 sup28n15.pdf

SUP28N15-52 SUP28N15-52

SUP28N15-52Vishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.052 at VGS = 10 V 28150 PWM Optimized0.060 at VGS = 6 V 26 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGDRAIN connected to TABG D S

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top