SUP36N20-54P Todos los transistores

 

SUP36N20-54P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUP36N20-54P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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SUP36N20-54P datasheet

 ..1. Size:85K  vishay
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SUP36N20-54P

SUP36N20-54P New Product Vishay Siliconix N-Channel 200-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature 0.053 at VGS = 15 V RoHS 36 200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested 0.054 at VGS = 10 V 36 APPLICATIONS Power Supply Lighting Systems TO-220AB D G G D S S

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