SUP36N20-54P Todos los transistores

 

SUP36N20-54P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUP36N20-54P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de SUP36N20-54P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SUP36N20-54P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  vishay
 sup36n20-54p.pdf pdf_icon

SUP36N20-54P

SUP36N20-54PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.053 at VGS = 15 V RoHS36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V36APPLICATIONS Power Supply Lighting SystemsTO-220ABDGG D SS

Otros transistores... SUM90N08-6M2P , SUM90N08-7M6P , SUM90N10-8M2P , SUM90P10-19 , SUM90P10-19L , SUP18N15-95 , SUP25P10-138 , SUP28N15-52 , STP65NF06 , SUP40N10-30 , SUP40N25-60 , SUP40P10-43 , SUP45N03-13L , SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P , SUP53P06-20 , SUP57N20-33 .

History: RJL5032DPP-M0 | IXTA36N30P | OSG65R125PZF | FDS7066N7 | IXFR40N50Q2 | 2SK3085 | TF2305B

 

 
Back to Top

 


 
.