Справочник MOSFET. SUP36N20-54P

 

SUP36N20-54P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP36N20-54P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP36N20-54P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  vishay
 sup36n20-54p.pdf pdf_icon

SUP36N20-54P

SUP36N20-54PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.053 at VGS = 15 V RoHS36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V36APPLICATIONS Power Supply Lighting SystemsTO-220ABDGG D SS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: DMTH4007LK3 | SI1402DH | RQ3E130MN | HAT1023R | IRFP150FI | STM8300 | APT10050LVFR

 

 
Back to Top

 


 
.