Справочник MOSFET. SUP36N20-54P

 

SUP36N20-54P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP36N20-54P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SUP36N20-54P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP36N20-54P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  vishay
 sup36n20-54p.pdf pdf_icon

SUP36N20-54P

SUP36N20-54PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.053 at VGS = 15 V RoHS36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V36APPLICATIONS Power Supply Lighting SystemsTO-220ABDGG D SS

Другие MOSFET... SUM90N08-6M2P , SUM90N08-7M6P , SUM90N10-8M2P , SUM90P10-19 , SUM90P10-19L , SUP18N15-95 , SUP25P10-138 , SUP28N15-52 , STP65NF06 , SUP40N10-30 , SUP40N25-60 , SUP40P10-43 , SUP45N03-13L , SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P , SUP53P06-20 , SUP57N20-33 .

History: CEM9926

 

 
Back to Top

 


 
.