SUP36N20-54P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUP36N20-54P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 166 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 85 nC
Время нарастания (tr): 170 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.054 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SUP36N20-54P
SUP36N20-54P Datasheet (PDF)
..1. Size:85K vishay
sup36n20-54p.pdf
sup36n20-54p.pdf
SUP36N20-54PNew ProductVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.053 at VGS = 15 V RoHS36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V36APPLICATIONS Power Supply Lighting SystemsTO-220ABDGG D SS
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
