SUP40N10-30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUP40N10-30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUP40N10-30
SUP40N10-30 Datasheet (PDF)
sup40n10-30 sup40n10.pdf
SUP40N10-30Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*1000.034 at VGS = 6 V37.5COMPLIANTTO-220AB DGG D S Top View SOrdering Information: SUP40N10-30 SUP40N10-30-E3 (Lead (Pb)-free)N-Channe
sup40n06-25l sub40n06-25l.pdf
SUP/SUB40N06-25LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic LevelPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.022 @ VGS = 10 V 4060600.025 @ VGS = 4.5 V 40TO-220ABDTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSUB40N06-25L STop ViewN-Channel MOSFETSUP40N06-25LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol
sup40n25-60.pdf
SUP40N25-60Vishay SiliconixN-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction TemperatureRoHS0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package250 950.064 at VGS = 6 V38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Ind
sup40p10-43.pdf
New ProductSUP40P10-43Vishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.043 at VGS = - 10 V - 36- 100 54 nC 100 % Rg Tested0.048 at VGS = - 4.5 V - 34.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS LCD Inve
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