SUP40N10-30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUP40N10-30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUP40N10-30

SUP40N10-30 Datasheet (PDF)

..1. Size:75K vishay
sup40n10-30 sup40n10.pdf

SUP40N10-30Vishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*1000.034 at VGS = 6 V37.5COMPLIANTTO-220AB DGG D S Top View SOrdering Information: SUP40N10-30 SUP40N10-30-E3 (Lead (Pb)-free)N-Channe

8.1. Size:58K vishay
sup40n06-25l sub40n06-25l.pdf

SUP/SUB40N06-25LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic LevelPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.022 @ VGS = 10 V 4060600.025 @ VGS = 4.5 V 40TO-220ABDTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSUB40N06-25L STop ViewN-Channel MOSFETSUP40N06-25LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol

8.2. Size:173K vishay
sup40n25-60.pdf

SUP40N25-60Vishay SiliconixN-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction TemperatureRoHS0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package250 950.064 at VGS = 6 V38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Ind

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sup40p10-43.pdf

New ProductSUP40P10-43Vishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.043 at VGS = - 10 V - 36- 100 54 nC 100 % Rg Tested0.048 at VGS = - 4.5 V - 34.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS LCD Inve

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Liste

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