SUP57N20-33 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUP57N20-33
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de SUP57N20-33 MOSFET
SUP57N20-33 Datasheet (PDF)
sup57n20-33 sup57n20.pdf
SUP57N20-33Vishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.033 at VGS = 10 V200 57RoHS*COMPLIANTAPPLICATIONS Isolated DC/DC converters- Primary-Side SwitchTO-220ABDDRAIN connected to TABGG D STop ViewSOrdering Infor
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History: CEP7030L | RQJ0602EGDQS | IRLU9343-701 | TDM3307A | SUP60N06-12P | SVSP60R090LHD4TR | SUP40N10-30
History: CEP7030L | RQJ0602EGDQS | IRLU9343-701 | TDM3307A | SUP60N06-12P | SVSP60R090LHD4TR | SUP40N10-30
Liste
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