SUP57N20-33 - описание и поиск аналогов

 

SUP57N20-33. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUP57N20-33

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SUP57N20-33

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP57N20-33 даташит

 ..1. Size:74K  vishay
 sup57n20-33 sup57n20.pdf pdf_icon

SUP57N20-33

SUP57N20-33 Vishay Siliconix N-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.033 at VGS = 10 V 200 57 RoHS* COMPLIANT APPLICATIONS Isolated DC/DC converters - Primary-Side Switch TO-220AB D DRAIN connected to TAB G G D S Top View S Ordering Infor

Другие MOSFET... SUP36N20-54P , SUP40N10-30 , SUP40N25-60 , SUP40P10-43 , SUP45N03-13L , SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P , SUP53P06-20 , RU7088R , SUP60N02-4M5P , SUP60N06-12P , SUP60N10-16L , SUP60N10-18P , SUP65P04-15 , SUP70N03-09BP , SUP75N03-04 , SUP75P03-07 .

History: CHM451ANZGP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.