Справочник MOSFET. SUP57N20-33

 

SUP57N20-33 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUP57N20-33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для SUP57N20-33

 

 

SUP57N20-33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  vishay
 sup57n20-33 sup57n20.pdf

SUP57N20-33 SUP57N20-33

SUP57N20-33Vishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.033 at VGS = 10 V200 57RoHS*COMPLIANTAPPLICATIONS Isolated DC/DC converters- Primary-Side SwitchTO-220ABDDRAIN connected to TABGG D STop ViewSOrdering Infor

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRCP140

 

 
Back to Top