SUP60N02-4M5P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUP60N02-4M5P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 985 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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SUP60N02-4M5P datasheet
sup60n02-4m5p.pdf
SUP60N02-4m5P Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a 175 C Junction Temperature RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 20 0.0065 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested APPLICATIONS OR-ing TO-220AB D DRAIN connected to TAB G G D S Top
sup60n02.pdf
SUP60N02-4m5P Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a 175 C Junction Temperature RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 20 0.0065 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested APPLICATIONS OR-ing TO-220AB D DRAIN connected to TAB G G D S Top
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