SUP60N02-4M5P - описание и поиск аналогов

 

SUP60N02-4M5P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUP60N02-4M5P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 985 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SUP60N02-4M5P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP60N02-4M5P даташит

 ..1. Size:173K  vishay
 sup60n02-4m5p.pdf pdf_icon

SUP60N02-4M5P

SUP60N02-4m5P Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a 175 C Junction Temperature RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 20 0.0065 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested APPLICATIONS OR-ing TO-220AB D DRAIN connected to TAB G G D S Top

 6.1. Size:171K  vishay
 sup60n02.pdf pdf_icon

SUP60N02-4M5P

SUP60N02-4m5P Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a 175 C Junction Temperature RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 20 0.0065 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested APPLICATIONS OR-ing TO-220AB D DRAIN connected to TAB G G D S Top

 7.1. Size:162K  vishay
 sup60n06.pdf pdf_icon

SUP60N02-4M5P

 7.2. Size:164K  vishay
 sup60n06-12p.pdf pdf_icon

SUP60N02-4M5P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUP40N10-30 , SUP40N25-60 , SUP40P10-43 , SUP45N03-13L , SUP50N03-5M1P , SUP50N10-21P , SUP53P06-20 , SUP57N20-33 , MMIS60R580P , SUP60N06-12P , SUP60N10-16L , SUP60N10-18P , SUP65P04-15 , SUP70N03-09BP , SUP75N03-04 , SUP75P03-07 , SUP75P05-08 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.