SUU09N10-76P Todos los transistores

 

SUU09N10-76P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUU09N10-76P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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SUU09N10-76P Datasheet (PDF)

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SUU09N10-76P

SUU09N10-76PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition0.076 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET9d100 8.5 100 % Rg and UIS Tested0.096 at VGS = 6 V9d Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-251APPLICATIONS DC/DC Conver

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History: STD65NF06 | 2N6453 | KX6P02 | 2SK1610 | NP32N055IHE | STF4NK50ZD | IRFB4310G

 

 
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