SUU09N10-76P Todos los transistores

 

SUU09N10-76P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUU09N10-76P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm

Encapsulados: TO-251

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SUU09N10-76P datasheet

 ..1. Size:98K  vishay
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SUU09N10-76P

SUU09N10-76P Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.076 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 9d 100 8.5 100 % Rg and UIS Tested 0.096 at VGS = 6 V 9d Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-251 APPLICATIONS DC/DC Conver

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