SUU09N10-76P - описание и поиск аналогов

 

SUU09N10-76P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUU09N10-76P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SUU09N10-76P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUU09N10-76P даташит

 ..1. Size:98K  vishay
 suu09n10-76p.pdf pdf_icon

SUU09N10-76P

SUU09N10-76P Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.076 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 9d 100 8.5 100 % Rg and UIS Tested 0.096 at VGS = 6 V 9d Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-251 APPLICATIONS DC/DC Conver

Другие MOSFET... SUP90N06-6M0P , SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P , SUP90N08-8M2P , SUP90N10-8M8P , SUP90N15-18P , SUP90P06-09L , AON6414A , SUU10P10-195 , SUV85N10-10 , SM1105NSK , SM1105NSUB , SM1108NSF , SM1110NSA , SM1110NSC , SM1A01NFS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.