SUU09N10-76P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SUU09N10-76P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для SUU09N10-76P
SUU09N10-76P Datasheet (PDF)
suu09n10-76p.pdf
SUU09N10-76PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition0.076 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET9d100 8.5 100 % Rg and UIS Tested0.096 at VGS = 6 V9d Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-251APPLICATIONS DC/DC Conver
Другие MOSFET... SUP90N06-6M0P , SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P , SUP90N08-8M2P , SUP90N10-8M8P , SUP90N15-18P , SUP90P06-09L , AON6414A , SUU10P10-195 , SUV85N10-10 , SM1105NSK , SM1105NSUB , SM1108NSF , SM1110NSA , SM1110NSC , SM1A01NFS .
History: AS3621 | RF1S30N06LE
History: AS3621 | RF1S30N06LE
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet


