Справочник MOSFET. SUU09N10-76P

 

SUU09N10-76P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUU09N10-76P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SUU09N10-76P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUU09N10-76P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  vishay
 suu09n10-76p.pdf pdf_icon

SUU09N10-76P

SUU09N10-76PVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition0.076 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET9d100 8.5 100 % Rg and UIS Tested0.096 at VGS = 6 V9d Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-251APPLICATIONS DC/DC Conver

Другие MOSFET... SUP90N06-6M0P , SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P , SUP90N08-8M2P , SUP90N10-8M8P , SUP90N15-18P , SUP90P06-09L , IRFB4110 , SUU10P10-195 , SUV85N10-10 , SM1105NSK , SM1105NSUB , SM1108NSF , SM1110NSA , SM1110NSC , SM1A01NFS .

 

 
Back to Top

 


 
.