SUU10P10-195 Todos los transistores

 

SUU10P10-195 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUU10P10-195

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.195 Ohm

Encapsulados: TO-251

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SUU10P10-195 datasheet

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SUU10P10-195

SUU10P10-195 Vishay Siliconix P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.195 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET 0.200 at VGS = - 7.5 V - 8.7 12 100 % Rg and UIS Tested - 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.207 at VGS = - 6 V - 8.6

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