SUU10P10-195 - описание и поиск аналогов

 

SUU10P10-195. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUU10P10-195

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SUU10P10-195

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUU10P10-195 даташит

 ..1. Size:99K  vishay
 suu10p10-195.pdf pdf_icon

SUU10P10-195

SUU10P10-195 Vishay Siliconix P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.195 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET 0.200 at VGS = - 7.5 V - 8.7 12 100 % Rg and UIS Tested - 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.207 at VGS = - 6 V - 8.6

Другие MOSFET... SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P , SUP90N08-8M2P , SUP90N10-8M8P , SUP90N15-18P , SUP90P06-09L , SUU09N10-76P , IRFB4115 , SUV85N10-10 , SM1105NSK , SM1105NSUB , SM1108NSF , SM1110NSA , SM1110NSC , SM1A01NFS , SM1A01NSF .

History: IRL530NSPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.