SUU10P10-195 - аналоги и даташиты транзистора

 

SUU10P10-195 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SUU10P10-195
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SUU10P10-195

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUU10P10-195 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  vishay
 suu10p10-195.pdf pdf_icon

SUU10P10-195

SUU10P10-195Vishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition0.195 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET0.200 at VGS = - 7.5 V - 8.7 12 100 % Rg and UIS Tested- 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.207 at VGS = - 6 V - 8.6

Другие MOSFET... SUP90N08-4M8P , SUP90N08-6M8P , SUP90N08-7M7P , SUP90N08-8M2P , SUP90N10-8M8P , SUP90N15-18P , SUP90P06-09L , SUU09N10-76P , IRFP250N , SUV85N10-10 , SM1105NSK , SM1105NSUB , SM1108NSF , SM1110NSA , SM1110NSC , SM1A01NFS , SM1A01NSF .

History: B4N65 | 2N60L-TND-R | WMLL020N08HGS

 

 
Back to Top

 


 
.