Справочник MOSFET. SUU10P10-195

 

SUU10P10-195 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUU10P10-195
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для SUU10P10-195

 

 

SUU10P10-195 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  vishay
 suu10p10-195.pdf

SUU10P10-195 SUU10P10-195

SUU10P10-195Vishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition0.195 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET0.200 at VGS = - 7.5 V - 8.7 12 100 % Rg and UIS Tested- 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.207 at VGS = - 6 V - 8.6

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFT20N100P

 

 
Back to Top