MM20N050P Todos los transistores

 

MM20N050P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MM20N050P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 990 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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MM20N050P Datasheet (PDF)

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MM20N050P

MM20N050P 500V 20A N-Channel MOSFET March 2011 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Low drain-source ON resistance High forward transfer admittance Repetitive avalanche ratings Simple drive requirements Ease of paralleling APPLICATIONS 1.GATE Switching power supplies 2.DRAIN Motor controls 3.SOURCE Inverters and choppers Audio a

Otros transistores... SM2328NSAN , SM2558NSUC , SM2602NSC , SM2603PSC , SM2A01NSFP , SM2A02NSU , SM2A06NSFP , MM15N050P , 20N50 , MM68N06K , MM9N090P , MMBF0202PLT1 , MMBF2202PT1 , MMBFJ108 , MMBFJ110 , MMBFJ111 , MMBFJ112 .

History: STP12N65M5 | PMV30ENEA | VBE1307

 

 
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