MM20N050P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MM20N050P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для MM20N050P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MM20N050P даташит

 ..1. Size:316K  macmic
 mm20n050p.pdf pdf_icon

MM20N050P

MM20N050P 500V 20A N-Channel MOSFET March 2011 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Low drain-source ON resistance High forward transfer admittance Repetitive avalanche ratings Simple drive requirements Ease of paralleling APPLICATIONS 1.GATE Switching power supplies 2.DRAIN Motor controls 3.SOURCE Inverters and choppers Audio a

Другие IGBT... SM2328NSAN, SM2558NSUC, SM2602NSC, SM2603PSC, SM2A01NSFP, SM2A02NSU, SM2A06NSFP, MM15N050P, STP80NF70, MM68N06K, MM9N090P, MMBF0202PLT1, MMBF2202PT1, MMBFJ108, MMBFJ110, MMBFJ111, MMBFJ112