MM9N090P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MM9N090P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 140 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 93 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 780 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
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MM9N090P Datasheet (PDF)
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MM9N090P 900V 9A N-Channel MOSFET March 2011 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Low drain-source ON resistance High forward transfer admittance Repetitive avalanche ratings Simple drive requirements Ease of paralleling APPLICATIONS 1.GATE Switching power supplies 2.DRAIN Motor controls 3.SOURCE Inverters and choppers Audio amp
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