MM9N090P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MM9N090P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 93 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 780 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
MM9N090P Datasheet (PDF)
..1. Size:316K macmic
mm9n090p.pdf
mm9n090p.pdf
MM9N090P 900V 9A N-Channel MOSFET March 2011 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Low drain-source ON resistance High forward transfer admittance Repetitive avalanche ratings Simple drive requirements Ease of paralleling APPLICATIONS 1.GATE Switching power supplies 2.DRAIN Motor controls 3.SOURCE Inverters and choppers Audio amp
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
