MM9N090P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MM9N090P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для MM9N090P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MM9N090P даташит

 ..1. Size:316K  macmic
 mm9n090p.pdf pdf_icon

MM9N090P

MM9N090P 900V 9A N-Channel MOSFET March 2011 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Low drain-source ON resistance High forward transfer admittance Repetitive avalanche ratings Simple drive requirements Ease of paralleling APPLICATIONS 1.GATE Switching power supplies 2.DRAIN Motor controls 3.SOURCE Inverters and choppers Audio amp

Другие IGBT... SM2602NSC, SM2603PSC, SM2A01NSFP, SM2A02NSU, SM2A06NSFP, MM15N050P, MM20N050P, MM68N06K, TK10A60D, MMBF0202PLT1, MMBF2202PT1, MMBFJ108, MMBFJ110, MMBFJ111, MMBFJ112, MMBFJ113, MMBFJ305