MMIX1F420N10T MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

MMIX1F420N10T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMIX1F420N10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 680 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 334 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: ISOLATED TAB

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MMIX1F420N10T datasheet

..1. Size:225K ixys
mmix1f420n10t.pdf pdf_icon

Advance Technical Information GigaMOSTM TrenchTM VDSS = 100V MMIX1F420N10T HiperFETTM ID25 = 334A Power MOSFET RDS(on) 2.6m Trr 140ns (Electrically Isolated Tab) D N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V Isolated Tab

7.1. Size:176K ixys
mmix1f44n100q3.pdf pdf_icon

7.2. Size:177K ixys
mmix1f40n110p.pdf pdf_icon

Advance Technical Information PolarTM HiperFETTM VDSS = 1100V MMIX1F40N110P Power MOSFET ID25 = 24A RDS(on) 290m (Electrically Isolated Tab) trr 300ns D N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V Isolated Tab VDGR TJ

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mmix1f360n15t2.pdf pdf_icon

Preliminary Technical Information TrenchT2TM GigaMOSTM VDSS = 150V MMIX1F360N15T2 HiperFETTM ID25 = 235A Power MOSFET RDS(on) 4.4m trr 150ns (Electrically Isolated Tab) D N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode S Symbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated Tab VDSS TJ = 25 C to 175 C

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