Справочник MOSFET. MMIX1F420N10T

 

MMIX1F420N10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMIX1F420N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 680 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 334 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: ISOLATED TAB
 

 Аналог (замена) для MMIX1F420N10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMIX1F420N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  ixys
 mmix1f420n10t.pdf pdf_icon

MMIX1F420N10T

Advance Technical InformationGigaMOSTM TrenchTMVDSS = 100VMMIX1F420N10THiperFETTMID25 = 334A Power MOSFET RDS(on) 2.6m Trr 140ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 V Isolated Tab

 7.1. Size:176K  ixys
 mmix1f44n100q3.pdf pdf_icon

MMIX1F420N10T

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1000VMMIX1F44N100Q3Power MOSFET ID25 = 30A Q3-Class RDS(on) 245m trr 300ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 V Isolated TabVDGR TJ = 25C to 150

 7.2. Size:177K  ixys
 mmix1f40n110p.pdf pdf_icon

MMIX1F420N10T

Advance Technical InformationPolarTM HiperFETTM VDSS = 1100VMMIX1F40N110PPower MOSFET ID25 = 24A RDS(on) 290m (Electrically Isolated Tab)trr 300nsDN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1100 V Isolated TabVDGR TJ

 8.1. Size:233K  ixys
 mmix1f360n15t2.pdf pdf_icon

MMIX1F420N10T

Preliminary Technical InformationTrenchT2TM GigaMOSTMVDSS = 150VMMIX1F360N15T2HiperFETTMID25 = 235A Power MOSFET RDS(on) 4.4m trr 150ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeGAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated TabVDSS TJ = 25C to 175C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMIS70R900PTH , MMIX1F132N50P3 , MMIX1F160N30T , MMIX1F180N25T , MMIX1F210N30P3 , MMIX1F230N20T , MMIX1F360N15T2 , MMIX1F40N110P , IRFB4227 , MMIX1F44N100Q3 , MML60R190PTH , MML60R290PTH , MML65R190PTH , MMN2302 , MMN2312 , MMN25N03 , MMN3205 .

 

 
Back to Top

 


 
.