MML65R190PTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MML65R190PTH
   Código: 65R190P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 154 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 53 nC
   Tiempo de subida (tr): 75 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1425 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

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MML65R190PTH Datasheet (PDF)

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MML65R190P Datasheet MMP65R190P 650V 0.19 N-channel MOSFET Description MML65R190P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

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History: WFJ8N65B | 4N80G-T2Q-T | WMN10N65EM

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