MML65R190PTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MML65R190PTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 154 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1425 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для MML65R190PTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MML65R190PTH даташит

 ..1. Size:1339K  magnachip
 mml65r190pth.pdf pdf_icon

MML65R190PTH

MML65R190P Datasheet MMP65R190P 650V 0.19 N-channel MOSFET Description MML65R190P is power MOSFET using magnachip s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

Другие IGBT... MMIX1F210N30P3, MMIX1F230N20T, MMIX1F360N15T2, MMIX1F40N110P, MMIX1F420N10T, MMIX1F44N100Q3, MML60R190PTH, MML60R290PTH, P55NF06, MMN2302, MMN2312, MMN25N03, MMN3205, MMN3220, MMN3400, MMN35N03, MMN404