MMN2312 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN2312

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.04 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117.76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MMN2312 datasheet

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MMN2312

MMN2312 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 31m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 37m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 47m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT -23 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top View N-Cha

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MMN2312

MMN2302 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 130m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT -23 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top View N-C

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