MMN2312. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN2312

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.04 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117.76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MMN2312

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN2312 даташит

 ..1. Size:147K  m-mos
 mmn2312.pdf pdf_icon

MMN2312

MMN2312 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 31m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 37m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 47m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT -23 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top View N-Cha

 9.1. Size:147K  m-mos
 mmn2302.pdf pdf_icon

MMN2312

MMN2302 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115m RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 130m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT -23 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top View N-C

Другие IGBT... MMIX1F360N15T2, MMIX1F40N110P, MMIX1F420N10T, MMIX1F44N100Q3, MML60R190PTH, MML60R290PTH, MML65R190PTH, MMN2302, 7N65, MMN25N03, MMN3205, MMN3220, MMN3400, MMN35N03, MMN404, MMN4307, MMN4326