Справочник MOSFET. MMN2312

 

MMN2312 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN2312
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.04 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117.76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMN2312

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN2312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  m-mos
 mmn2312.pdf pdf_icon

MMN2312

MMN2312Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 31mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 37mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 47mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-Cha

 9.1. Size:147K  m-mos
 mmn2302.pdf pdf_icon

MMN2312

MMN2302Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115mRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 130mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT -23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top View N-C

Другие MOSFET... MMIX1F360N15T2 , MMIX1F40N110P , MMIX1F420N10T , MMIX1F44N100Q3 , MML60R190PTH , MML60R290PTH , MML65R190PTH , MMN2302 , STP75NF75 , MMN25N03 , MMN3205 , MMN3220 , MMN3400 , MMN35N03 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 .

History: NCE65N900K | AOI296A | TSD5N65M | AP6901AGSM-HF | IRFH8307 | HGN098N10A | VBI1638

 

 
Back to Top

 


 
.