MMN25N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN25N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MMN25N03 datasheet

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MMN25N03

MMN25N03 Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 25V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 13.5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 20m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current DPAK Internal Schematic Diagram Drain Gate S

Otros transistores... MMIX1F40N110P, MMIX1F420N10T, MMIX1F44N100Q3, MML60R190PTH, MML60R290PTH, MML65R190PTH, MMN2302, MMN2312, IRFP250N, MMN3205, MMN3220, MMN3400, MMN35N03, MMN404, MMN4307, MMN4326, MMN4336