MMN25N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMN25N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MMN25N03 MOSFET
MMN25N03 Datasheet (PDF)
mmn25n03.pdf

MMN25N03Preliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 13.5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 20mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentDPAK Internal Schematic DiagramDrain Gate S
Otros transistores... MMIX1F40N110P , MMIX1F420N10T , MMIX1F44N100Q3 , MML60R190PTH , MML60R290PTH , MML65R190PTH , MMN2302 , MMN2312 , AON7408 , MMN3205 , MMN3220 , MMN3400 , MMN35N03 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 , MMN4336 .
History: CTP2303 | ELM14408AA | CHM2316GP | AOUS66920 | 2N65KL-TF2-T | MPVP20N65F | TK20N60W5
History: CTP2303 | ELM14408AA | CHM2316GP | AOUS66920 | 2N65KL-TF2-T | MPVP20N65F | TK20N60W5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f