MMN25N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN25N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MMN25N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN25N03 даташит

 ..1. Size:142K  m-mos
 mmn25n03.pdf pdf_icon

MMN25N03

MMN25N03 Preliminary Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 25V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 13.5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 20m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current DPAK Internal Schematic Diagram Drain Gate S

Другие IGBT... MMIX1F40N110P, MMIX1F420N10T, MMIX1F44N100Q3, MML60R190PTH, MML60R290PTH, MML65R190PTH, MMN2302, MMN2312, IRFP250N, MMN3205, MMN3220, MMN3400, MMN35N03, MMN404, MMN4307, MMN4326, MMN4336