Справочник MOSFET. MMN25N03

 

MMN25N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN25N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MMN25N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN25N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  m-mos
 mmn25n03.pdf pdf_icon

MMN25N03

MMN25N03Preliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@20A = 13.5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@20A = 20mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentDPAK Internal Schematic DiagramDrain Gate S

Другие MOSFET... MMIX1F40N110P , MMIX1F420N10T , MMIX1F44N100Q3 , MML60R190PTH , MML60R290PTH , MML65R190PTH , MMN2302 , MMN2312 , AON7408 , MMN3205 , MMN3220 , MMN3400 , MMN35N03 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 , MMN4336 .

History: AOSD32334C | SQ4917EY | TSP740MR | AP4438GYT-HF | JCS620CT | IXFR48N60P | PMN20EN

 

 
Back to Top

 


 
.