MMN3400 Todos los transistores

 

MMN3400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN3400
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MMN3400 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  m-mos
 mmn3400.pdf pdf_icon

MMN3400

MMN3400Package Level Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A = 41mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 45mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.0A = 59mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT-23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source To

Otros transistores... MML60R190PTH , MML60R290PTH , MML65R190PTH , MMN2302 , MMN2312 , MMN25N03 , MMN3205 , MMN3220 , 2N7000 , MMN35N03 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 , MMN4336 , MMN4338 , MMN4364DY , MMN4410 .

History: STD65N3LLH5 | SIHFDC20 | SIR440DP | HGB110N10SL | HGK110N20S | TK12X60U

 

 
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