MMN3400 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN3400

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MMN3400 datasheet

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MMN3400

MMN3400 Package Level Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A = 41m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 45m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.0A = 59m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-23 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source To

Otros transistores... MML60R190PTH, MML60R290PTH, MML65R190PTH, MMN2302, MMN2312, MMN25N03, MMN3205, MMN3220, AON7408, MMN35N03, MMN404, MMN4307, MMN4326, MMN4336, MMN4338, MMN4364DY, MMN4410