Справочник MOSFET. MMN3400

 

MMN3400 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN3400
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMN3400

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN3400 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  m-mos
 mmn3400.pdf pdf_icon

MMN3400

MMN3400Package Level Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A = 41mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 45mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.0A = 59mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT-23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source To

Другие MOSFET... MML60R190PTH , MML60R290PTH , MML65R190PTH , MMN2302 , MMN2312 , MMN25N03 , MMN3205 , MMN3220 , 2N7000 , MMN35N03 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 , MMN4336 , MMN4338 , MMN4364DY , MMN4410 .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.