MMN3400 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MMN3400
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для MMN3400
MMN3400 Datasheet (PDF)
mmn3400.pdf
MMN3400Package Level Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A = 41mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 45mRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.0A = 59mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT-23 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source To
Другие MOSFET... MML60R190PTH , MML60R290PTH , MML65R190PTH , MMN2302 , MMN2312 , MMN25N03 , MMN3205 , MMN3220 , AON7408 , MMN35N03 , MMN404 , MMN4307 , MMN4326 , MMN4336 , MMN4338 , MMN4364DY , MMN4410 .
History: SM3305PSQG | AP30N06Y | ME2306N-G | JMSL1010PGQ | JMSL1010PG | 2SK2827-01 | WST2026
History: SM3305PSQG | AP30N06Y | ME2306N-G | JMSL1010PGQ | JMSL1010PG | 2SK2827-01 | WST2026
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130


