MMN3400. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN3400

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MMN3400

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN3400 даташит

 ..1. Size:142K  m-mos
 mmn3400.pdf pdf_icon

MMN3400

MMN3400 Package Level Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.8A = 41m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 45m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.0A = 59m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOT-23 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source To

Другие IGBT... MML60R190PTH, MML60R290PTH, MML65R190PTH, MMN2302, MMN2312, MMN25N03, MMN3205, MMN3220, AON7408, MMN35N03, MMN404, MMN4307, MMN4326, MMN4336, MMN4338, MMN4364DY, MMN4410