MMN45N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMN45N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325.32 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MMN45N03 MOSFET
MMN45N03 Datasheet (PDF)
mmn45n03.pdf

MMN45N03Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@25A = 8.5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@25A = 13mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentDPAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top V
Otros transistores... MMN4364DY , MMN4410 , MMN4414 , MMN4418 , MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , RFP50N06 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E .
History: IRLR8113 | 2N4393DCSM | AS2324 | NTMFS4935NBT1G | SRM4N65DTR | PHD97NQ03LT | 2SK2440
History: IRLR8113 | 2N4393DCSM | AS2324 | NTMFS4935NBT1G | SRM4N65DTR | PHD97NQ03LT | 2SK2440



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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