Справочник MOSFET. MMN45N03

 

MMN45N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN45N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325.32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MMN45N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN45N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  m-mos
 mmn45n03.pdf pdf_icon

MMN45N03

MMN45N03Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@25A = 8.5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@25A = 13mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentDPAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top V

Другие MOSFET... MMN4364DY , MMN4410 , MMN4414 , MMN4418 , MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , RFP50N06 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E .

History: P6503FM6 | 2SK1378 | NCE65N800I | CS4N80F | 2SK2666 | AFC6604 | AP03N70H

 

 
Back to Top

 


 
.