MMN45N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MMN45N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 325.32 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MMN45N03
MMN45N03 Datasheet (PDF)
mmn45n03.pdf
MMN45N03Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 25VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@25A = 8.5mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@25A = 13mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentDPAK Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top V
Другие MOSFET... MMN4364DY , MMN4410 , MMN4414 , MMN4418 , MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , AON7410 , MMN4818 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet


