MMN45N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN45N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325.32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MMN45N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN45N03 даташит

 ..1. Size:183K  m-mos
 mmn45n03.pdf pdf_icon

MMN45N03

MMN45N03 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 25V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 25V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@25A = 8.5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@25A = 13m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current DPAK Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top V

Другие IGBT... MMN4364DY, MMN4410, MMN4414, MMN4418, MMN4422, MMN4430, MMN4444, MMN4446, AON7410, MMN4818, MMN4942DY, MMN4946BEY, MMN55N03, MMN60NF06, MMN65N03, MMN6680, MMN6968E