MMN4818 Todos los transistores

 

MMN4818 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN4818
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 239.41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MMN4818 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  m-mos
 mmn4818.pdf pdf_icon

MMN4818

MMN4818Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@8.5A = 19mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 2 Gate 1 Source 2

Otros transistores... MMN4410 , MMN4414 , MMN4418 , MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , 4N60 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E , MMN7230 .

History: IXFX27N80Q | FQA24N50F109 | IRF7832PBF-1 | STD5NK52ZD-1 | IRFU3806PBF | NCE65NF068F | TSM4433DCS

 

 
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