MMN4818. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN4818

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 239.41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MMN4818

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN4818 даташит

 ..1. Size:196K  m-mos
 mmn4818.pdf pdf_icon

MMN4818

MMN4818 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@8.5A = 19m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 28m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Improved Shoot-Through FOM SOP-08 Internal Schematic Diagram Drain 1 Drain 2 Gate 2 Gate 1 Source 2

Другие IGBT... MMN4410, MMN4414, MMN4418, MMN4422, MMN4430, MMN4444, MMN4446, MMN45N03, 12N60, MMN4942DY, MMN4946BEY, MMN55N03, MMN60NF06, MMN65N03, MMN6680, MMN6968E, MMN7230