Справочник MOSFET. MMN4818

 

MMN4818 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN4818
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 239.41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MMN4818

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN4818 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  m-mos
 mmn4818.pdf pdf_icon

MMN4818

MMN4818Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@8.5A = 19mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 2 Gate 1 Source 2

Другие MOSFET... MMN4410 , MMN4414 , MMN4418 , MMN4422 , MMN4430 , MMN4444 , MMN4446 , MMN45N03 , 4N60 , MMN4942DY , MMN4946BEY , MMN55N03 , MMN60NF06 , MMN65N03 , MMN6680 , MMN6968E , MMN7230 .

History: 30N06L-TA3-T | BSC100N10NSFG | CEM4269 | 18P10E

 

 
Back to Top

 


 
.