Справочник MOSFET. MMN4818

 

MMN4818 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN4818
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.54 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 239.41 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MMN4818

 

 

MMN4818 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  m-mos
 mmn4818.pdf

MMN4818 MMN4818

MMN4818Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@8.5A = 19mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 2 Gate 1 Source 2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVS11N60KD2 | MMN6968E | SVG036R5NL2

 

 
Back to Top