Справочник MOSFET. MMN4818

 

MMN4818 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN4818
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14.54 nC
   Время нарастания (tr): 3.48 ns
   Выходная емкость (Cd): 239.41 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MMN4818

 

 

MMN4818 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  m-mos
 mmn4818.pdf

MMN4818 MMN4818

MMN4818Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@8.5A = 19mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 2 Gate 1 Source 2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top