MMN4942DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMN4942DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 21.16 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123.14 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMN4942DY
MMN4942DY Datasheet (PDF)
mmn4942dy.pdf
MMN4942DYPreliminary Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited40V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 40VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@7.4A = 21mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.4A = 28mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2
mmn4946bey.pdf
MMN4946BEYData SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited60V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 60VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.3A = 41mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.7A = 52mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOP-08 Internal Schematic DiagramDrain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source 1 Source 2 Top View N
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